掩膜法被大量应用于集成电路中，通常用选定的图像、图形或物体，对处理的基板材料进行遮挡，从而对内部材料进行刻蚀处理。用于被处理材料表面进行覆盖的特定图像或物体称为掩膜，通常我们所指的掩膜都是二维的，同时现有掩膜法的分辨率通常在十几纳米至几微米之间。

西安交通大学电气学院电力设备电气绝缘国家重点实验室新型储能与能量转换纳米材料研究中心首次将掩膜法用于纳米杂化结构的合成上，利用原位合成的办法在纳米线表面合成3D纳米掩膜，并通过该掩膜对内部材料进行刻蚀，在完成刻蚀后将纳米掩膜封闭形成外包覆的管状。该方法为合成新型的内部刻蚀的杂化结构提供了一种全新的思路，同时合成的材料由于高比表面和高杂化在催化和电化学方面具有很好的应用。相关成果“Nanocarved MoS₂-MoO₂Hybrids Fabricated Usingin SituGrown MoS₂as Nanomasks”发表在纳米材料领域顶级期刊ACS Nano上（影响因子13.334）。该论文第一作者为电气学院在读硕士生肖定彬，指导老师和通讯作者为张锦英副教授。西安交通大学为该论文的唯一完成单位。

新型储能与转换纳米材料研究中心（http://cne.xjtu.edu.cn）瞄准新能源技术发展前沿，围绕新型储能和能量转换纳米材料研究方向，开展以材料微观/介观结构-化学特性-纳米制备技术为核心的基础研究工作，并以新能源转换与储能系统示范工程的研究和实施带动电气工程学科的发展建设，实现在该领域的理论创新与研究方法的创新。该研究小组在硫化钼方面的工作前期也在Nano Lett.杂志（影响因子13.779）发表了成果。

论文链接：http://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acsnano.6b04643